COXEM CP-8000+ 氬離子拋光是一種先進的樣品制備工具,可使用氬離子束蝕刻樣品的橫截面。 該過程避免了物理變形和結構損壞,不需要復雜的化學過程。此外,該系統通過處理從幾十微米到幾毫米的大面積,簡化了樣品的橫截面分析。
特 點
● 每小時 700 μm 的高蝕刻速率(基于 Si,8 kV)
● 能夠保存/加載常用的配方
● 具有自動執行功能的逐步操作配方
● 使用智能樣品架輕松裝載樣品
● 通過腔室攝像頭實時觀察離子束狀態和蝕刻狀態
● 便捷的操作——直觀的GUI和簡單的觸摸屏
● 通過離子束自動開/關功能減少熱損傷
● 使用內置數字顯微鏡通過離子束快速方便地對準樣品
● 配備低噪、隔振、無油隔膜泵
● 具備平面銑削功能,可進行大面積平面蝕刻
CP拋光基本原理
機械拋光 VS CP拋光
如果使用機械拋光裝置進行拋光,由于物理損傷和污染,很難檢查橫截面的確切狀態,但當使用離子束通過 CP 進行橫截面加工時,可以觀察微表面結構,樣品無結構損壞和污染。
FIB 拋光 VS CP拋光
與聚焦離子束 (FIB) 相比,使用 CP-8000+ 蝕刻同一樣品的截面時,您可以在更短的時間內蝕刻更寬的橫截面,從而極大地節省時間和成本。
以下圖像是同一樣本在同一時間段內以兩種不同方式(FIB 和 CP)銑削的結果。
數碼顯微鏡
使用數字顯微鏡,可以通過屏幕輕松對準離子束的位置和樣品的位置。
倉室內攝像頭
您可以通過腔室內的攝像頭檢查離子束的狀態,并實時檢查截 面蝕刻的程度。
自動離子束開/關模式
該功能旨在通過根據設置的離子束開/關計時器打開和關閉離子束,減少離子束造成的熱損傷。在蝕刻聚合物和紙張等熱敏樣品時,它對于獲得準確的橫截面條件非常有用。
配方模式
常用的蝕刻條件可以存儲在配方列表中,以便在需要時輕松應用設置值。此外,還可以使用分步模式來存儲多個配方并自動執行它們來蝕刻樣品。
平面拋光模式
CP-8000+ 可以使用專用支架在平面上處理樣品。 當樣品安裝在專用支架上并使用平面銑削功能時, 離子束會基于旋轉中心軸蝕刻幾個平方毫米的區域。 在此刻,由于拋光速度、面積和深度根據離子束 撞擊樣品表面的入射角而變化,因此應通過旋轉和調整樣品的角度來實現均勻的表面拋光。 由于離子束照射的面積較大,可以蝕刻氧化層或異物,因此可用于大面積樣品的預處理。
加速電壓 |
2 to 8kV |
拋光速率 |
700?/h (at 8kV on Si wafer) |
樣品臺擺動角度 |
±35° |
尺寸 |
20(W) × 10(L) × 5.5(T)mm 16(W) × 10(D) × 9.5(H)mm |
樣品移動范圍 |
X axis movement : ±1.5mm / Y axis movement : ±2mm |
平面樣品臺傾斜角度范圍 |
40° to 80° |
平面臺樣品尺寸 |
Ø30 × 11.4(H)mm |
操作方式 |
7 inch 觸控屏 |
用于樣品定位的數碼顯微鏡 |
Mag. x5, x10, x20, x40 |
用于監控的室攝像機 |
Mag. x5, x10, x20, x40 4檔亮度調節 離子束觀察模式(LED Off |
離子槍氣體 |
Argon gas (99.999%) |
氣壓 |
0.1 Mpa (14.5psi) |
氣壓控制 |
Mass Flow Control |
真空系統 |
分子泵, 隔膜泵 |
外形尺寸 |
607(W) × 472(D) × 277.5(430.5)(H) mm |
重量 |
主機 36kg / 隔膜泵 6.5kg |
特點 |
Auto Beam On/Off mode Step by step mode |